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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導通電阻、快速開關、抵御單粒子效應能力等特點。廣泛應用于DC-DC轉換器、電力推進和電機驅動領域，在高輻射環境下表現穩定可靠。已有更優產品JANSR2N7584T1推出。

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  Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器 2025-01-20 09:03:22

  Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實現低功耗運行，采用調諧叉設計，具備最快啟動時間與緊湊頻率穩定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動（典型2 ms）應用打造，能在高達 +200°C高溫運行且抗沖擊性強。其主要特點有高溫操作、超低電流、快速啟動、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項優勢，產品設計制造于美國且提供全面軍事測試。該振蕩器適用于工業領域多種設備，規格參數涵蓋頻率、電源電壓、校準容差、頻率穩定性、輸出負載、老化、沖擊、振動及工作溫度范圍等多方面指標 。