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  ADI晶圓良好模具KGD 2021-05-07 17:20:38

  ADI?的KGD工藝技術(shù)容許產(chǎn)品以模具的形式裝運(yùn)，以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。KGD的目標(biāo)是在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供滿足Fu產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格（速度功能測(cè)試、老化過(guò)程和缺陷）的模具產(chǎn)品。科技創(chuàng)新的已知優(yōu)良模具制造工藝技術(shù)是滿足客戶零缺陷應(yīng)用需求的理想解決方案。ADI選用獨(dú)特的交付使用流程，根據(jù)完整性的數(shù)據(jù)表規(guī)范測(cè)試KGD零部件。ADI的大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定產(chǎn)品組合都以KGD格式提供。

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  Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-08-21 09:18:47

  Linear Systems的3N170和3N171是單N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于快速切換和低漏源電阻應(yīng)用。它們具有低電阻（r_ds(on) ≤ 200Ω）、快速開(kāi)關(guān)時(shí)間（t_d(on) ≤ 3.0ns），并可在-55至+135°C的結(jié)溫下工作。這些器件的連續(xù)功率耗散為300mW，最大電流為30mA，最大電壓為±35V（漏到柵和柵到源）和25V（漏到源）。