BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌
發布時間:2024-07-01 09:26:24 瀏覽:433
BF998E6327HTSA1是Infineon英飛凌科技生產的一款硅N溝道MOSFET射頻放大器。這款器件專為射頻環境設計,適用于放大和切換電子信號。以下是該產品的詳細介紹:
基本特性
最大功耗:200 mW
工作溫度范圍:-55 °C至150 °C
最大頻率:1000 MHz
工作模式:耗盡模式
封裝與運輸
封裝:卷帶包裝,便于快速安裝和安全交付
技術規格
短通道晶體管:具有高S / C品質因數
適用頻率:適用于低噪音、高達1 GHz的增益控制輸入
環保標準:無鉛,符合RoHS標準
質量標準:符合AEC Q101標準
應用領域
機頂盒
電視
車載收音機
電氣參數
門輸入電容(Cg1ss):2.1 pF
輸出電容(Cdss):1.1 pF
正向跨導(gfs):24 mS
功率增益(Gp):20 dB @ 800 MHz
最大連續漏電流(ID):30 mA
最大漏源電壓(Vds):12 V
噪聲系數(F):1.80 dB @ 800 MHz
總功耗(Ptot max):200 mW
封裝類型
封裝:SOT143
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JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力,-60V電壓等級,-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉換器、同步整流、配電電路等。產品型號:JANSR2N7626UBN。
隨著振蕩器對具有良好穩定性和低功耗要求的需求不斷增長,射頻行業的幾家公司正在尋求更新的技術來填補這一空白。幸運的是,這些新技術開始出現在整個科技市場。我們談論的這些新技術就是低功耗OCXO,我們稱之為LP OCXO。
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