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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點(diǎn)，A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括絕對(duì)容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機(jī)械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

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  OCXO晶體振蕩器成本的8個(gè)主要驅(qū)動(dòng)因素 2024-02-09 15:02:58

  在購(gòu)買晶體振蕩器之前，我們需要一個(gè)重要的事項(xiàng)就是成本。振蕩器定價(jià)很大程度上取決于具體需求和應(yīng)用，影響OCXO和其他晶體振蕩器成本的主要因素主要有下面8個(gè)：重力靈敏度、相位噪聲、工作溫度、穩(wěn)定性 (FvT)、艾倫偏差 (ADEV)、輸入電壓、頻率、包裝尺寸。